内容简介：　　　

　 本书是作者长期从事直拉硅单晶生长过程数值模拟与工艺优化研究的总结。书中在概述硅单晶发展前景、主要生长设备及关键工艺的基础上，介绍直拉硅单晶生长过程数值模拟方法、工艺流程与参数设置、热系统设计与制造等方面的内容；从介观层面阐述多物理场耦合作用对晶体生长的影响，并给出关键工艺参数选取方法；提出一系列结合变量检测、智能优化及先进控制技术的硅单晶工艺研究理论和工程实现方法。本书在理论和实验两方面均进行详尽阐述并给出部分工程实验结果，具有问题驱动、理论牵引、内容具体、结合实际、指导性强等特点

目录：
序一
序二
前言
第1章 绪论
　　1.1 硅单晶的基本概念
　　1.2 硅单晶生长发展历程与研究进展
　　1.3 本书主要内容安排
　　参考文献
第2章 CZ硅单晶生长工艺与设备
　　2.1 晶体生长基本理论
　　2.2 CZ晶体生长原理
　　2.3 CZ硅单晶生长工艺
　　2.4 晶体缺陷抑制与品质提升
　　2.5 CZ硅单晶生长设备概述
　　2.6 小结
　　参考文献
第3章 硅单晶生长中的数值模拟
　　3.1 数值模拟方法概述
　　3.2 数值模拟软件
　　3.3 晶体生长过程数值模拟研究进展
　　3.4 有限元法在晶体生长数值模拟中的应用
　　3.5 小结
　　参考文献
第4章 CZ硅单晶生长工艺研究
　　4.1 CGSim软件
　　4.2 关键工艺参数对晶体品质的影响
　　4.3 氧、碳杂质分布及分析
　　4.4 硅单晶生长的掺杂问题
　　4.5 CZ硅单晶生长稳态与动态建模研究
　　4.6 小结
　　参考文献
第5章 CZ硅单晶热系统建模与设计
　　5.1 单晶炉热场与晶体品质
　　5.2 热系统设计
　　5.3 硅单晶热系统数值模拟
　　5.4 小结
　　参考文献
第6章 格子Boltzmann方法与晶体生长模型
　　6.1 格子Boltzmann方法的理论与模型
　　6.2 格子Boltzmann方法的晶体生长模型
　　6.3 小结
　　参考文献
第7章 多场耦合作用下的硅单晶生长
　　7.1 CZ硅单晶生长过程热流耦合模拟
　　7.2 磁场作用下晶体生长热溶质混合对流研究
　　7.3 晶体振荡混合对流模拟
　　7.4 晶体生长相变过程模拟
　　7.5 小结
　　参考文献
第8章 硅单晶生长关键工艺参数优化
　　8.1 硅单晶生长关键工艺参数智能优化概述
　　8.2 基于CFD的晶体生长模型与数值求解
　　8.3 基于GMDH的目标函数建模
　　8.4 改进NSGA-Ⅱ的多目标优化及结果分析
　　8.5 小结
　　参考文献
第9章 晶体生长过程变量检测与控制
　　9.1 晶体生长过程中关键变量检测与估计
　　9.2 晶体生长过程控制
　　9.3 小结
　　参考文献

展望